金升陽緊跟功率半導體市場動向，推出QAxx3D-2GR3（下文稱：QA-R3系列驅(qū)動電源），可有效應(yīng)用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上，為IGBT/SiC MOSFET的驅(qū)動器提供高可靠、高效率的驅(qū)動電源方案。
一、產(chǎn)品介紹
1）高可靠性保障
QA-R3系列驅(qū)動電源在變壓器設(shè)計上采用了獨特設(shè)計，通過增加原副邊爬電距離，使得電氣間隙滿足14.5mm的安規(guī)要求，隔離電容3.5pF，隔離電壓達到5000VAC（基于EN61800-5-1標準要求）；產(chǎn)品采用加強絕緣設(shè)計，極大提高了可靠性。
該系列還滿足EN50178/EN61800-5-1標準要求，通過EN62368認證（認證中），符合UL62368設(shè)計要求；高可靠的設(shè)計保證其可有效應(yīng)用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上，為IGBT/SiC MOSFET的驅(qū)動器提供高可靠的驅(qū)動電源方案。
2）效率高達88%
采用獨特電路設(shè)計方案，在電路設(shè)計上，減小了原副邊漏感的影響，極大地提升產(chǎn)品效率，使得產(chǎn)品效率高達88%，處于行業(yè)領(lǐng)先地位。
3）單路2.4W輸出功率，雙通道輸出，設(shè)計更靈活
采用雙通道輸出設(shè)計，單路輸出功率可達到2.4W，兩通道之間滿足加強絕緣要求（5000VAC隔離），有效降低了客戶的使用成本和占板面積使得客戶設(shè)計更加靈活。
二、產(chǎn)品應(yīng)用
QA-R3系列驅(qū)動電源依靠高可靠性能，可滿足1700V及以下的常規(guī)IGBT/SiC MOSFET，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋軌道交通，智能電網(wǎng)，風力發(fā)電，新能源，電機傳動，充電樁等。
三、產(chǎn)品特點
●效率高達88%
●隔離電壓高達5000VAC(加強絕緣)
●最大容性負載200uF
●隔離電容3.5pF typ.
●工作電壓范圍：-40℃ to +105℃
●整機材質(zhì)符合CTI 1類
●專為1700V IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動器設(shè)計
●符合UL62368、EN61800、EN50178標準認證要求
